非易失性存儲(chǔ)器內(nèi)存鐵電ram是高性能和高可靠性的一種存儲(chǔ)器，具有高讀寫(xiě)耐久性和快速寫(xiě)入速度的非易失性存儲(chǔ)器。FRAM不需要備用電池來(lái)保存數(shù)據(jù)，與EEPROM、閃存等傳統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器相比，具有更高的讀/寫(xiě)耐久性、更快的寫(xiě)入速度和更低的功耗。
 
FRAM鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一種使用鐵電文件作為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電容器的存儲(chǔ)器。即使斷電也能保留內(nèi)容。結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具有快速寫(xiě)入速度、低功耗和高讀/寫(xiě)周期耐久性，也稱為FeRAM。
 
富士通半導(dǎo)體已大量生產(chǎn)具有高讀寫(xiě)耐久性、高速寫(xiě)入操作和低功耗的FRAM非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品。尤其是FRAM產(chǎn)品保證的讀/寫(xiě)周期為10萬(wàn)億周期，是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手提供的非易失性存儲(chǔ)器EEPROM的1000萬(wàn)倍。因此富士通FRAM產(chǎn)品已被用于需要頻繁重寫(xiě)數(shù)據(jù)的工業(yè)應(yīng)用，例如實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄和3D定位數(shù)據(jù)記錄。
 
MB85R8M2T是一種8Mbit FRAM，在富士通的FRAM非易失性存儲(chǔ)器系列中具有比較大的密度。具有1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍和兼容SRAM的并行接口。該產(chǎn)品是最合適的存儲(chǔ)器，可滿足正在開(kāi)發(fā)工業(yè)機(jī)械并希望使用比當(dāng)前4Mbit FRAM更大的密度的客戶的要求，或消除對(duì)用于備份的SRAM電池的需求停電期間的數(shù)據(jù)。
 
通過(guò)在各種工業(yè)應(yīng)用中使用這種新的FRAM產(chǎn)品替換SRAM設(shè)備，例如在設(shè)施和機(jī)器人的控制單元中，它可以消除對(duì)備用電池的需求，并且可以節(jié)省大約90%的存儲(chǔ)部件安裝面積，這有助于降低電池相關(guān)成本。


本文關(guān)鍵詞：SRAM,FRAM,ram

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