Everspin MR4A08BMA35并行I/O非揮發(fā)MRAM芯片
2018-05-23 15:01:32
全球領先的離散和嵌入式磁阻隨機存取存儲器開發(fā)商和制造商Everspin科技公司(MRAM)成立于2008年，是飛思卡爾分離出去的獨立公司。公司股東由飛思卡爾和幾大風險投資公司構成。公司成立時飛思卡爾把MRAM技術、相關知識產權和產品都轉讓給EverSpin。公司總部與晶圓廠均位于美國亞利桑那州錢德勒(Chandler)市。2006年Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產品。目前Everspin MRAM已廣泛用在數據存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運輸、和航空電子等領域。
Everspin MR4A08BMA35是一款3.3V、并行I/O非揮發(fā)RAM，其超快的存取周期僅為35ns，并允許無限制的讀/寫循環(huán)。在每次寫入后，資料能持續(xù)保存超過20年。此外，與其它存儲器不同，MRAM還可免除因宇宙射線所產生的軟錯誤率(SER, soft error rate)。這款并行MRAM16Mb MRAM由位寬為16的1,048,576個字組成。引腳和功能可與異步SRAM兼容。MR4A16B目標應用為工業(yè)自動化、機器人、網絡和數據儲存、多功能打印機、以及其它許多傳統(tǒng)受限于需采用SRAM設計的系統(tǒng)。
MR4A08BMA35提供小尺寸48引腳球柵陣列(BGA)封裝和54引腳的薄形小尺寸(TSOPII)封裝兩種形式。這些封裝均能與相似的低功率SRAM產品和其它非揮發(fā)RAM產品兼容。
?表圖為16Mb型號表
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCYS35 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
1Mx16 |
MR4A16BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 16Mb |
2Mx8 |
MR4A08BCMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
本文關鍵詞：
并行MRAM
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