由于中美貿(mào)易摩擦影響，中國(guó)大陸兩大DRAM廠發(fā)展腳步已明顯放緩，根據(jù)TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)研究指出，作為NAND Flash發(fā)展主力的長(zhǎng)江存儲(chǔ)今(2019)年底前將依照進(jìn)程正式量產(chǎn)64層X(jué)tacking 3D NAND產(chǎn)品，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)明(2020)年產(chǎn)能逐步擴(kuò)大，預(yù)計(jì)將對(duì)全球NAND Flash市場(chǎng)供給與價(jià)格帶來(lái)沖擊。

TrendForce指出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)已于第一季送交樣品給部分客戶(hù)及控制器廠商，初期著重國(guó)內(nèi)市場(chǎng)銷(xiāo)售；并且已完成武漢廠的建設(shè)，并有限度的投產(chǎn)32層產(chǎn)品，待64層正式量產(chǎn)后產(chǎn)能擴(kuò)張將轉(zhuǎn)趨積極。2020年后產(chǎn)能規(guī)劃將逐步放大，到該年底擴(kuò)張達(dá)至少60K/m的投片量，盡管相對(duì)其他競(jìng)爭(zhēng)者動(dòng)輒200K/m以上的產(chǎn)能并不算大，預(yù)估仍會(huì)對(duì)NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格產(chǎn)生一定沖擊，導(dǎo)致跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)。 TrendForce分析認(rèn)為，中國(guó)新開(kāi)產(chǎn)能以達(dá)成自給的目標(biāo)相當(dāng)明確，而其他國(guó)際廠商亦各自有新廠得以因應(yīng)2020年后的競(jìng)爭(zhēng)，包含三星的西安二期、東芝的巖手縣新廠、美光的新加坡三廠、SK Hynix M15廠的剩馀空間加上后續(xù)的M16廠房等，在各廠產(chǎn)能提升后，價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)恐將更為激烈。

為縮短與一線(xiàn)廠1-2年的技術(shù)差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年直攻128層產(chǎn)品。TrendForce指出，以主要六大供應(yīng)商的發(fā)展?fàn)顩r來(lái)看，目前主流出貨多在64/72層產(chǎn)品，并已量產(chǎn)92/96層的產(chǎn)品，目前正提供客戶(hù)UFS、SSD等產(chǎn)品樣品進(jìn)行導(dǎo)入，然而新制程的擴(kuò)產(chǎn)受到今年市況影響，供應(yīng)商自去年年底以來(lái)逐步調(diào)降資本支出并減緩擴(kuò)產(chǎn)時(shí)程，甚至有部分供應(yīng)商決定減產(chǎn)，導(dǎo)致新制程比重成長(zhǎng)較為緩慢。 反觀長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展規(guī)劃，在推出64層產(chǎn)品后，相較于其他供應(yīng)商先發(fā)展9x層的步調(diào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將直攻128層以縮減與其他供應(yīng)商的差距，主要供應(yīng)商則規(guī)劃在2020年量產(chǎn)128層產(chǎn)品。盡管長(zhǎng)江存儲(chǔ)在技術(shù)發(fā)展上仍與主要供應(yīng)商有相當(dāng)差距，但未來(lái)對(duì)市場(chǎng)的影響恐怕勢(shì)難抵擋。

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