下一代企業(yè)級SSD中基于DRAM的SSD控制器架構(gòu)。 STT-MRAM使SSD設計人員能夠優(yōu)化占地面積，性能，耐用性和可靠性，同時降低復雜性并實現(xiàn)高級功能。
 
STT-MRAM可以在SSD中提供更大的寫緩沖區(qū)，而保持能量的存儲量卻更少。通過大大減少停電保護所需的能量存儲量，可以使用與超級電容器或電池相反的高度可靠的鋁或鉭電容器來實現(xiàn)能量存儲。消除了對溫度敏感和有壽命限制的超級電容器和電池的需求，從而提高了SSD的可靠性和可制造性。這消除了由于使用超級電容器和電池而產(chǎn)生的其他制造限制或潛在的現(xiàn)場服務問題。
 
除了掉電保護之外，在低延遲STT-MRAM中實現(xiàn)的更大的寫緩沖區(qū)可以通過在允許主機回壓之前緩沖更多的數(shù)據(jù)來大大提高正常操作期間的突發(fā)寫性能。增加的寫緩沖區(qū)大小還可以實現(xiàn)更多的寫合并，從而減少寫放大并提高閃存的耐久性。
 
STT-MRAM提供分層FTL的非易失性存儲，并簡化了控制器設計，同時減少了電源故障后的恢復時間。除了支持壓縮和重復數(shù)據(jù)刪除表之外，STT-MRAM的使用還為本地低延遲CMB實現(xiàn)提供了持久存儲，同時減輕了向SSD驅(qū)動器添加這種廣泛功能的任務。EVERSPIN的STT-MRAM現(xiàn)在已經(jīng)投入生產(chǎn)，可以加速SSD的性能，可靠性和密度。


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