MRAM技術(shù)是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎，MTJ中包含了一個維持單一極性方向的固定層，和一個通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當自由層被施予和固定層相同方向的極化時，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此一磁阻效應可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。在MRAM存儲器中有一個富含創(chuàng)造性的設計，這也是EVERSPIN的專利。
 
在MRAM的誕生過程中，設計的難點和關鍵節(jié)點，在于一個小電流通過“自由層”，并使之翻轉(zhuǎn)，與固定層的極化方向相反或者相同。但是MRAM操作窗口特別小，即使很小的電流擾動也會造成錯誤。為此MARM的產(chǎn)品化道路一度陷入低迷。
 
在2004初一個俄裔的工程師公布他提出的新的MRAM結(jié)構(gòu)和寫入方法(TOGGLE MRAM)，人們才重新燃起了對MRAM的希望。SONY 和 MOTORALA 馬上拿出了第一手的實驗數(shù)據(jù). 實驗證明TOGGLE MRAM具有相當大的操作窗口。另一個重大突破是2004年末IBM 和日本一家公司同時宣布拿到了300%的MTJ信號。2004年在業(yè)界是非常激動人心的時刻，這一系列的突破暗示著MRAM的曙光就在眼前。
 
現(xiàn)在MRAM有很多優(yōu)異的指標，但是并非完美。它的存儲密度和容量決定了它尚不能更大范圍的替代其他存儲器產(chǎn)品。但是根據(jù)摩爾定律，芯片尺寸會越來越小，這也是為什么很多人都認為DRAM快走到了它生命周期的盡頭。PCM存儲器的存儲密度遠遠高于MRAM和DRAM。在未來的五年里，它將是MRAM有力的競爭對手。MRAM想在未來新存儲的世界里稱王稱霸，還是需要一番突圍的。

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