Everspin MR25H40-4Mb SPI串行接口MRAM適用于醫(yī)療設備中的非易失存儲器，例如在醫(yī)用呼吸中，4Mb (MR25H40)的MRAM可用于存儲操作軟件程序變量。存儲在MRAM的數據在呼吸機關閉期間保存。
 
MR25H40是一個4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I / O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，它們是理想的內存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內存中隨機發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。

 
MR25H40系列可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。 MR25H40（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。兩者均采用5 x 6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產品兼容。英尚微電子代理商可提供樣品以及技術支持指導。
 
 
MR25H40系列是一款MRAM SPI接口系列，其存儲器陣列采用芯片選擇(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行外設接口(SPI)總線的串行時鐘(SCK)四引腳接口，邏輯組織為512Kx8。EVERSPIN MRAM實現(xiàn)了串行接口EEPROM和串行接口閃存組件通用的命令子集。這使得MRAM SPI可以在同一個插槽中替換這些組件，并在共享SPI總線上進行互操作。與其他串行內存替代產品相比，MRAM SPI提供了卓越的寫入速度、無限的耐用性、低待機和操作功率，以及簡單、可靠的數據保留。

Everspin  MR25H40產品系列

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / T&R
4Mb	512Kx8	MR25H40CDC	8-DFN	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDF	8-DFN sf	3.3V	Industrial	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDF	8-DFN sf	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	570	4,000
4Mb	512Kx8	MR25H40MDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDFR	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40VDF	8-DFN sf	3.3v	Extended	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	4000
4Mb	512Kx8	MR25H40CDCR	8-DFN	3.3v	Industrial	570	4000

本文關鍵詞：MRAM  MR25H40  串行接口MRAM

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