MRAM是基于電子自旋而不是電荷的下一代存儲技術(shù)。MRAM通常被稱為“存儲器的圣杯”，具有快速，高密度和非易失性的特點(diǎn)，可以在單個(gè)芯片中替代當(dāng)今使用的所有類型的存儲器。
 
Everspin是全球唯一的磁性RAM（MRAM）產(chǎn)品商業(yè)制造商。Everspin產(chǎn)品憑借其非常成功的ToggleMRAM技術(shù)，被用于從汽車，航空和存儲系統(tǒng)到工業(yè)自動化，航空航天等領(lǐng)域的各種應(yīng)用。我司英尚微電子everspin代理,主要提供用戶各種容量大小的MRAM芯片產(chǎn)品,提供完善的產(chǎn)品技術(shù)和解決方案。
 
Everspin Technologies宣布已修訂與GLOBALFOUNDRIES的STT-MRAM聯(lián)合開發(fā)協(xié)議（JDA），以為高級12nm FinFETMRAM解決方案的未來項(xiàng)目設(shè)定條件。Everspin協(xié)議包括40nm，28nm和22nm工藝，現(xiàn)在還包括12nm。
     
GF最近宣布已在其22FDX平臺上實(shí)現(xiàn)了嵌入式MRAM（eMRAM）的初步生產(chǎn)。


Everspin MRAM  128Kb

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	Order Multiple /Tray	MOQ / Tray	MOQ / T&R
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128ACDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDF	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128APDFR	8-DFN sf	3.3v	Industrial	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDF	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000
128Kb	16Kx8	MR25H128AMDFR	8-DFN sf	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	570	1,140	4,000

本文關(guān)鍵詞： MRAM

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