今年DRAM市場成長迅速，南亞科技預期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊，DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018，預期明年整體DRAM市場供需均衡且健康，市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。

　　
隨著人工智能、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高速運算等應用，促進半導體產業(yè)更多元發(fā)展，DRAM成為電子產品的關鍵組件，帶動今年內存市場強勁成長逾50%。

　　
展望2018年，南亞科預期DRAM資本支出主要用于先進制程轉換及維持原有月產能，DRAM位年成長率在20%~25%，預估2018年需求將較2017年成長23%，預期2018年DRAM市場將持續(xù)維持穩(wěn)健的態(tài)勢。

　　
2017年全球半導體市場預計大幅成長20%，規(guī)模達4,111億美元，內存市場年成長更高達57%，規(guī)模達1,260億美元，2017年內存市場營收占半導體市場31%。

　　
內存市場于2017年突破1200億美元規(guī)模，預估2017年DRAM市場成長率67%，產值685億美元，預估2017年NAND Flash市場成長率51%，產值535億美元，DRAM加NAND占內存市場總產值97%。

　　
就內存產業(yè)資本支出來看，NAND資本支出持續(xù)大幅提升，以作為擴充3D NAND產能所需，相對而言，DRAM資本支出主要用于先進制程轉換及維持原有月產能;南亞科預估，2018年DRAM位年成長率20%~25%， 2018年下半起將有新增DRAM產能投入量產，NAND位年成長率則達40%~45% ;預估2018年全球DRAM平均月產能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片，預期2018年DRAM市場供需均衡且健康。


本文關鍵詞：NAND Flash 

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