發(fā)改委約談三星 抑制DRAM再度漲價(jià)
2018-02-06 14:30:33
集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格持續(xù)出現(xiàn)超過6個(gè)季度的上漲，導(dǎo)致多家中國(guó)智能手機(jī)品牌廠不堪成本壓力，因此在去年年底，國(guó)家發(fā)改委約談三星半導(dǎo)體，因此第一季行動(dòng)式內(nèi)存的漲幅有所放緩。據(jù)了解，韓國(guó)政府近日將攜三星電子與國(guó)家發(fā)改委簽署備忘錄，內(nèi)容將包括在半導(dǎo)體領(lǐng)域的相關(guān)合作，其中包含擴(kuò)大在中國(guó)投資以及技術(shù)合作的可能性。
近年來，中國(guó)成為內(nèi)存產(chǎn)品的最大出?？冢还苁菄?guó)內(nèi)需求或是外銷，透過中國(guó)所購(gòu)買的內(nèi)存比重持續(xù)增加，對(duì)于中國(guó)市場(chǎng)情緒的變化，三星必須給予尊重及反應(yīng)。因此，DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，此次事件將可能對(duì)未來內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生以下兩種影響：
一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態(tài)，但未來漲幅將受抑制
從DRAM領(lǐng)域來看，現(xiàn)在供貨商在生產(chǎn)行動(dòng)式內(nèi)存的獲利遠(yuǎn)低于其他類別產(chǎn)品，而受到第一季智能手機(jī)市場(chǎng)低迷需求的影響，再加上國(guó)家發(fā)改委的干預(yù)，預(yù)期未來價(jià)格漲幅將會(huì)更加受到控制。預(yù)計(jì)未來，供貨商預(yù)期會(huì)持續(xù)將現(xiàn)有的產(chǎn)能從行動(dòng)式內(nèi)存轉(zhuǎn)向更高毛利產(chǎn)品，造成其他類別產(chǎn)品的價(jià)格漲幅也進(jìn)一步收斂。
二、供貨商為避免價(jià)格漲幅過高，新增產(chǎn)能的可能性增加
其次，在NAND Flash領(lǐng)域，2018年由于3D NAND Flash的比重持續(xù)提高，因此供貨吃緊的狀態(tài)較去年大幅改善。然而，觀察DRAM供給，因?yàn)楝F(xiàn)在并未有新增產(chǎn)能貢獻(xiàn)位元產(chǎn)出，所有2018年仍會(huì)處于供不應(yīng)求狀態(tài)。DRAMeXchange分析，為解決中國(guó)方面對(duì)于內(nèi)存價(jià)格持續(xù)上漲所表達(dá)的強(qiáng)烈不滿，對(duì)供貨商而言，在漲價(jià)受到抑制、成本下降不易的考慮下，新增產(chǎn)能的可能性與時(shí)程皆可能轉(zhuǎn)趨積極，透過增加產(chǎn)能來貢獻(xiàn)位元產(chǎn)出不僅可以維持價(jià)格穩(wěn)定，也希望藉此維持該企業(yè)在DRAM產(chǎn)品的獲利水平。
本文關(guān)鍵詞：
DRAM NAND Flash
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